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蕾丝女同 自主研发!国芯新一代汽车电子高性能MCU新址品流片、测试得手

发布日期:2024-07-31 19:06    点击次数:105

蕾丝女同 自主研发!国芯新一代汽车电子高性能MCU新址品流片、测试得手

该芯片内嵌硬件安全HSM模块,不错复旧安全开端和OTA。

快科技7月29日音信,据苏州国芯科技官网先容,近日蕾丝女同,由国芯科技研发的新一代汽车电子高性能MCU新址品CCFC3012PT流片和测试得手。

据悉,国芯科技本次里面测试得手的汽车电子高性能MCU新址品CCFC3012PT是基于公司自主PowerPC架构C*Core CPU内核研发的新一代多核MCU芯片。

适用于智能化汽车扶直驾驶、智能座舱以及高集成度域抵制器等诈欺,不错更好地知足客户更高算力、更高信息安全等第和更高功能安全等第的诈欺需求。

自主研发!国芯新一代汽车电子高性能MCU新址品流片、测试得手

该芯片基于40nm eFlash工艺建设和分娩,内嵌10个运算CPU核C3007,其中包括6个主核和4个锁步核,该CPU核活水线禁受双辐射,DMIPS性能达到2.29/MHz,比拟同系列的CCFC3007PT芯片单个内核性能培育了20%。

该芯片内嵌硬件安全HSM模块,复旧Crypto/SM2/AES/SM4等海外和国密算法,李宗瑞60女艺人名单不错复旧安全开端和OTA。

芯片内嵌多种稀少的汽车尺度通信接口,主要包括:复旧TSN公约100M/1000M 以太网接口(1路)、FlexRay(2路)、Lin(12路,复旧LIN和UART)、CANFD(12路)以及对外抵制接口eMIOS(32通谈)、最新版块的通用时序处分单位GTM4(96通谈)、串行通信接口DSPI(22路,复旧4路MSC)。

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该芯片还建立了较大容量的存储空间,其中行为存储Flash最高建立可达16.5M字节,数据存储最高建立Flash最高可达1M字节,内存空间(SRAM)最高建立可达2.4M字节,具备SDADC(14个), SARADC(13个)抵制电路。

本次里面测试得手的汽车电子高性能MCU新址品CCFC3012PT按照汽车电子Grade1等第、信息安全Evita-Full等第、功能安全ASIL-D等第进行筹算和分娩,具备高可靠性和高安全性,不错诈欺于尖酸的使用场景,从而增多了该居品的诈欺掩饰面。

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该居品的封装神志包括BGA516/BGA292等蕾丝女同,该芯片可对标英飞凌已平时诈欺于自动驾驶、智能座舱和高集成区域抵制的TC397/TC399系列MCU芯片,不错看成汽车智能化扶直驾驶、智能座舱和高集成区域抵制界限的功能安全和信息会通处分的MCU芯片。